晶圓與光罩清洗遇瓶頸？SONOSYS 兆聲技術實現“無損去污”與“高效剝離”

更新時間：2026-08-27

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在半導體制造步入 7nm 乃至更先進制程的今天，芯片表面的微觀結構變得之前所沒有的復雜與脆弱。一粒微小的納米級顆粒，或是一次不當的清洗沖擊，都可能導致價值數萬元的晶圓報廢。面對這一挑戰，傳統的超聲波清洗已逼近物理極限。作為兆聲清洗領域的隱形冠的軍的，SONOSYS 憑借 25 年的技術積淀，正以卓的越的兆聲解決方案，為晶圓清洗、光罩清洗及光刻膠剝離工藝保駕護航。

一、晶圓清洗：在“強力去污"與“零損傷"間尋找完的美平衡

在先進制程中，晶圓表面布滿了極其脆弱的微觀結構。傳統超聲波清洗依靠劇烈的氣泡爆破（強瞬態空化）來去除污垢，這種“微型炸的彈的"極易導致精細圖形結構的倒塌或薄膜剝離。

SONOSYS 的兆聲清洗技術徹的底的改變了這一范式。通過輸出 1 MHz 甚至高達 5 MHz 的高頻聲波，SONOSYS 系統以溫和而持續的“聲流效應"和“微空化效應"為主。這就像是用無數把納米級的“軟毛刷"和“微射流"，精準剝離附著在晶圓表面的亞微米級顆粒，同時確保底層脆弱的半導體結構毫發無損。無論是前道制程的顆粒去除，還是后道 CMP 后的拋光液清洗，SONOSYS 都能提供高度均勻、無盲區的極的致的潔凈。

二、光罩清洗：守護光刻精度的“最后一道防線"

光罩（Photomask）是芯片制造的“底片"，其表面的任何微小瑕疵都會被直接投影到晶圓上。特別是對于極紫外（EUV）光罩，其清潔度要求達到了苛刻的原子級。

SONOSYS 針對光罩清洗提供了高度定制化的兆聲解決方案。無論是帶圖案的掩模版，還是帶有保護膜的掩模版，SONOSYS 的兆聲噴嘴或浸沒式換能器都能在不損傷掩模精細圖形和薄膜的前提下，實現接近 100% 的顆粒去除率。此外，系統還可用于清洗光罩背面的對準標記，大幅降低因污染導致的光罩重做率，為光刻精度提供堅實保障。

三、剝離輔助：讓光刻膠去除更高效、更溫和

在光刻工藝后，徹的底的去除殘留的光刻膠是保證良率的關鍵。對于高深寬比的三維結構，傳統的化學剝離往往難以滲透到結構深處，且長時間浸泡化學藥液可能帶來腐蝕風險。

SONOSYS 的兆聲技術是剝離工藝的絕的佳的“催化劑"。通過將兆聲能量精準注入剝離藥液中，兆聲波能夠顯著增強化學試劑的活性與滲透力，加速光刻膠的溶解與剝離。更重要的是，這種物理與化學的協同作用，允許使用更低濃度的化學品和更短的工藝時間，不僅大幅提升了剝離效率，還有效避免了因過度反應導致的微結構損傷。

四、為什么選擇 SONOSYS？

從 400 kHz 到 5 MHz 的寬頻覆蓋，從單噴嘴、雙噴嘴到定制化的換能器陣列，SONOSYS 提供的不只是一臺設備，而是針對微觀結構清洗的完整解決方案。

極的致的均勻：專的利的聲場設計確保晶圓/光罩表面能量分布高度一致，消除清洗盲區。
無損工藝：專為精密微結構設計的溫和清洗機制，完的美的適配 MEMS、LIGA 及先進半導體制程。
高度可靠： 25 年行業經驗，全球超過 4500 套系統的成功交付，是技術實力的最好證明。

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